سیاست و بازاریابی - شرکت تایوانی TSMC رسماً از لینوگرافی جدید 2 نانومتری (N2) خود رونمایی کرد. هدف از توسعه‌ی این معماری، بهبود عملکرد و کاهش مصرف انرژی تراشه‌ها است و اولین سیستم-روی-چیپ‌های مبتنی‌بر این فناوری نیز اواخر سال 2025 روانه‌ی بازار خواهند شد.

TSMC امروز به‌طور رسمی از فناوری ساخت N2 (کلاس دو نانومتری) خود رونمایی کرد. این لیتوگرافی، اولین نمونه‌ای است که از ترانزیستورهای اثر میدانی گیت (GAAFETs) استفاده می‌کند. این معماری ساخت جدید، مزایایی مثل عملکرد بهتر و قدرت بالا ارائه می‌کند. اولین تراشه‌های مبتنی‌بر این لیتوگرافی سال 2025 تولید خواهند شد که البته ازنظر چگالی ترانزیستورها نسبت به نسل‌های قبلی، تغییر چشمگیری در آن‌ها دیده نخواهد شد. به گزارش TomsHardware ، معماری N2 شرکت TSMC به‌عنوان یک پلتفرم کاملاً جدید، دو نوآوری اساسی به‌ارمغان می‌آورد: ترانزیستورهای نانوصفحه (که TSMC آن را GAAFET می‌نامد) و دوم بهره گرفتن از سیستم قدرت پشتی. این دومزیت هدف یکسانی برای بهبود عملکرد تراشه‌ها در هر وات دنبال می‌کنند. ترانزیستورهای GAAFET از کانال‌هایی بهره می‌برند که گیت‌ها آن‌ها را از چهار طرف احاطه کرده‌اند و همین ویژگی باعث کاهش هدررفت انرژی خواهد شد. علاوه‌براین، می‌توان کانال‌ها را برای ارتقا جریان درایو و بهبود کارایی، افزایش داد یا برای به‌ حداقل رساندن مصرف برق، آن‌ها را فشرده‌تر کرد. ترانزیستورهای نانوصفحه‌ای از سیستم انتقال قدرت پشتی برای ارائه‌ی توان پردازشی بهتر و کاهش مصرف انرژی، بهره می‌برند؛ فناوری جالبی که TSMC آن را یکی از بهترین راهکارهای جلوگیری از مقاومت‌ها در انتهای خط (BEOL) می‌داند. شایان‌ ذکر است معماری N2 شرکت TSMC به‌طور گسترده از لیتوگرافی EUV استفاده می‌کند.